Prinsip penyimpanan memori kilat

Untuk menerangkan prinsip penyimpanan memori kilat, kita masih perlu bermula dengan EPROM dan EEPROM.

EPROM bermaksud bahawa kandungannya boleh dipadamkan dengan cara khas dan kemudian ditulis semula. Litar unit asasnya (sel penyimpanan) sering menggunakan litar MOS suntikan longsoran pintu terapung, disingkatkan sebagai FAMOS. Ia serupa dengan litar MOS, di mana dua kawasan jenis P kepekatan tinggi ditanam pada substrat jenis N, dan sumber S dan longkang D masing-masing dikeluarkan melalui kenalan ohmik. Terdapat pintu polysilicon yang terapung di lapisan penebat SiO2 antara elektrod sumber dan elektrod longkang, dan tidak ada sambungan elektrik langsung dengan sekitarnya. Litar jenis ini menunjukkan sama ada pintu terapung dikenakan untuk menyimpan 1 atau 0. Selepas pintu terapung dikenakan (seperti caj negatif), saluran konduktif positif disebabkan di antara sumber dan longkang di bawahnya, supaya tiub MOS dihidupkan, yang bermaksud bahawa 0 disimpan. Sekiranya pintu terapung tidak dikenakan, tiada saluran konduktif terbentuk, dan tiub MOS tidak dihidupkan, iaitu, 1 disimpan.

Prinsip kerja litar unit storan asas EEPROM ditunjukkan dalam gambar di bawah. Sama seperti EPROM, ia menghasilkan pintu terapung di atas pintu terapung litar unit asas EPROM. Yang pertama dipanggil pintu terapung peringkat pertama, dan yang terakhir dipanggil pintu terapung peringkat kedua. Elektrod boleh ditarik ke pintu terapung peringkat kedua, supaya pintu terapung peringkat kedua disambungkan ke VG voltan tertentu. Sekiranya VG adalah voltan positif, kesan terowong dihasilkan antara pintu terapung pertama dan longkang, supaya elektron disuntik ke pintu terapung pertama, iaitu pengaturcaraan dan penulisan. Sekiranya VG adalah voltan negatif, elektron pintu terapung peringkat pertama terpaksa hilang, iaitu, pemadaman. Boleh ditulis semula selepas memadam.

Litar unit asas memori kilat, serupa dengan EEPROM, juga terdiri daripada pintu terapung dua lapisan MOS NSAID. Tetapi pintu pertama dielektrik adalah nipis dan bertindak sebagai terowong oksida. Kaedah penulisan adalah sama dengan EEPROM. Voltan positif digunakan pada pintu terapung peringkat kedua untuk membuat elektron memasuki pintu terapung peringkat pertama. Kaedah membaca adalah sama dengan EPROM. Kaedah pemadaman adalah untuk menggunakan voltan positif ke sumber dan menggunakan kesan terowong antara pintu terapung peringkat pertama dan sumber untuk menarik caj negatif yang disuntik ke pintu terapung ke sumber. Oleh kerana sumber dipadamkan dengan voltan positif, sumber setiap unit disambungkan bersama, supaya memori kilat tidak dapat dipadamkan oleh bait, tetapi dipadamkan secara keseluruhan atau dalam blok. Kemudian, dengan peningkatan teknologi semikonduktor, memori kilat juga menyedari reka bentuk NSAID tunggal (1T), terutamanya menambah pintu terapung dan pintu pemilihan ke NSAID asal,

Gudang terapung untuk menyimpan elektron dibentuk pada semikonduktor di mana arus menjalankan satu arah antara sumber dan longkang. Pintu terapung dibalut dengan penebat filem silikon oksida. Di atasnya adalah pintu pilih / kawalan yang mengawal arus pengaliran antara sumber dan longkang. Data adalah 0 atau 1 bergantung kepada sama ada terdapat elektron dalam pintu terapung yang terbentuk pada substrat silikon. 0 dengan elektron, 1 tanpa elektron.

Memori kilat, seperti namanya, dimulakan dengan memadamkan data sebelum menulis. Khususnya, elektron diekstrak dari semua gerbang mengambang. Sesetengah data akan dikembalikan kepada "1" tidak lama lagi.

Apabila menulis, tulis hanya apabila data adalah 0, dan tidak melakukan apa-apa apabila data adalah 1. Apabila 0 ditulis, voltan tinggi digunakan pada elektrod pintu dan longkang, meningkatkan tenaga elektron yang dijalankan di antara sumber dan longkang. Ini membolehkan elektron memecahkan penebat filem oksida dan ke pintu terapung.

Apabila membaca data, voltan tertentu digunakan pada elektrod pintu, arus adalah 1 apabila arus besar, dan 0 apabila arus kecil. Dalam keadaan di mana pintu terapung tidak mempunyai elektron (data adalah 1), voltan digunakan pada longkang apabila voltan digunakan pada elektrod pintu, dan arus dihasilkan kerana pergerakan sejumlah besar elektron antara sumber dan longkang. Dalam keadaan di mana pintu terapung mempunyai elektron (data adalah 0), elektron yang dijalankan di saluran akan dikurangkan. Kerana voltan yang digunakan pada elektrod pintu diserap oleh elektron pintu terapung, sukar untuk menjejaskan saluran.